收藏本站
IRFIZ24E
700
600
V GS
C is s
C rs s
C os s
=
=
=
=
0V , f = 1MH z
C gs +C g d , C ds SH OR TED
C gd
C ds +C gd
20
16
I D = 1 0A
V DS = 4 4V
V DS = 2 8V
500
C iss
400
C os s
12
300
200
C rss
8
4
100
FO R TES T C IR CU IT
0
1
10
100
A
0
0
4
8
SEE FIG U R E 13
12 16
20
A
100
10
V D S , Drain-to-Source V oltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
T J = 175 °C
T J = 25°C
1000
100
Q G , Total Gate Charge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10us
10
100us
1
V G S = 0 V
A
1
T C = 25 ° C
T J = 175 ° C
Single Pulse
1ms
10ms
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
1
10
100
1000
V S D , Source-to-D rain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRFIZ34E MOSFET N-CH 60V 21A TO220FP
IRFIZ46NPBF MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP
IRFIZ46N MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP
IRFIZ48NPBF MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP
IRFIZ48N MOSFET N-CH 55V 36A TO220FP
IRFL024NTR MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
IRFL1006TR MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
IRFL4105PBF MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
相关代理商/技术参数
IRFIZ24EPBF 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 71mOhms 13.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFIZ24G 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFIZ24G_09 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFIZ24GPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFIZ24N 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N FULLPAK ((NW))
IRFIZ24NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 13A 70mOhm 13.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFIZ24V 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.060ohm, Id=14A)
IRFIZ30 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-251VAR